IGBT 6MBI25S120

Описание IGBT модуля 6MBI25S120

Модель: 6MBI25S120
Производитель: Fuji Electric (Mitsubishi Electric также имеет аналогичные модули)
Тип: IGBT-модуль (NPT-IGBT)
Конфигурация: 2 в 1 (2 IGBT + 2 диода в одном корпусе)
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, источники питания, системы управления двигателями.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (IC @25°C): 25 А
• Максимальный импульсный ток (ICM): 50 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Время включения (ton): 0,3 мкс
• Время выключения (toff): 1,2 мкс
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,45 °C/Вт
• Диапазон рабочих температур (Tj): -40°C ... +150°C
• Корпус: 6MBI (изолированный, с базовой платой)

Характеристики встроенного диода:

• Максимальное обратное напряжение (VRRM): 1200 В
• Прямой ток (IF): 25 А
• Прямое падение напряжения (VFM): 1,8 В

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• Fuji Electric:
  • 6MBI25S-120
  • 6MBI25SA-120 (модификация)
• Mitsubishi Electric:
  • CM75DY-24H (аналогичные параметры, но другой корпус)
  • CM50DY-24H (менее мощный аналог)
• Infineon:
  • FF50R12RT4 (1200 В, 50 А, другой форм-фактор)
• SEMIKRON:
  • SKM50GB12T4

Совместимые модели:

• Схожие по характеристикам:
  • 6MBI50S-120 (50 А, 1200 В)
  • 6MBI15S-120 (15 А, 1200 В)
  • 6MBI30S-120 (30 А, 1200 В)

Применение

• Преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Инверторы для солнечных электростанций
• Промышленные источники питания

Модуль 6MBI25S120 подходит для замены в схемах, где требуется надежное управление мощностью при высоком напряжении.

Если нужна более точная замена, важно учитывать корпус, токовые и тепловые характеристики.