IGBT 6MBI50F120

Описание и технические характеристики IGBT модуля 6MBI50F120

Тип: IGBT-модуль (NPT, Trench-Gate)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

1. Напряжения:

   • Коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
   • Включение (VGE): ±20 В (рекомендуемое ±15 В)

2. Токи:

   • Коллекторный ток (IC при 25°C): 50 А
   • Коллекторный ток (IC при 80°C): 30 А
   • Импульсный ток (ICM): 100 А

3. Мощность и тепловые параметры:

   • Рассеиваемая мощность (Ptot): 200 Вт
   • Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,25 °C/Вт
   • Максимальная температура перехода (Tj): 150 °C

4. Временные параметры:

   • Время включения (ton): 80 нс
   • Время выключения (toff): 400 нс

5. Диодные параметры (встроенный обратный диод):

   • Прямое напряжение (VF): 1,8 В
   • Обратное восстановление (trr): 150 нс

6. Корпус и монтаж:

   • Тип корпуса: 6-контактный модуль (серия Fuji N-series)
   • Размеры: ~62x24x12 мм
   • Масса: ~50 г

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные парт-номера:

• 6MBI50F-120
• 6MBI50F120-01
• 6MBI50F120-02

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• IXYS: MIXA50W1200T

Замены с близкими параметрами:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semi)

Применение

Модуль 6MBI50F120 применяется в:

• Промышленных частотных преобразователях
• Сварочных инверторах
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводах и сервосистемах

Если нужна дополнительная информация по электрическим схемам или аналогам, уточните запрос!