IGBT 7MBR150VZ120-50

Описание и технические характеристики IGBT модуля 7MBR150VZ120-50

Производитель: Fuji Electric (или другой, если уточните)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (встроенный диод)
Назначение: Применяется в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями, источниках бесперебойного питания (ИБП) и промышленных преобразовательных установках.

Основные технические характеристики:

1. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
2. Номинальный ток коллектора (I_C): 150 А (при определенных условиях охлаждения)
3. Ток короткого замыкания (I_SC): Уточняется по datasheet
4. Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~2.0 В (типовое, зависит от тока)
5. Встроенный диод: Да (обычно FRD — Fast Recovery Diode)
6. Максимальная рабочая температура (T_j): 150°C
7. Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.25 °C/W (уточняйте в даташите)
8. Схема включения: Однофазный мост (Half-Bridge или другой вариант)
9. Корпус: Стандартный модульный (например, 7MBR-серия)
10. Вес: ~150–200 г (зависит от конструкции)

Совместимые модели и парт-номера:

Прямые аналоги от Fuji Electric:

• 7MBR150VA120-50 (возможен вариант с другим суффиксом)
• 7MBR150VB120-50
• 7MBR150VC120-50

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4
• Mitsubishi: CM150DY-12S
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• Powerex: CM150HA-12H

Примечания:

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия.
• Для точных параметров (временные характеристики, динамические потери и т. д.) рекомендуется изучать официальный datasheet.

Если у вас есть конкретный производитель или дополнительные требования, уточните — я помогу подобрать более точные аналоги!