IGBT 7MBR50SB-120B

Описание IGBT модуля 7MBR50SB-120B

Производитель: Fuji Electric (или другой, в зависимости от фактического бренда – уточните)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (встроенный диод)
Назначение: Применяется в инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями, источниках бесперебойного питания (ИБП) и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (IC @100°C): 50 А
• Ток короткого замыкания (Isc): 100 А (типовое)
• Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 200 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0.25 °C/Вт

Параметры IGBT:

• Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)): 2.0 В (типовое при 25°C)
• Время включения (ton): 0.3 мкс
• Время выключения (toff): 1.2 мкс

Параметры встроенного диода:

• Прямое напряжение (VF): 1.8 В (типовое)
• Время восстановления (trr): 150 нс

Температурный диапазон:

• Рабочая температура (Tj): от -40°C до +150°C
• Температура хранения: от -40°C до +125°C

Механические характеристики:

• Корпус: модуль с изолированным основанием
• Монтаж: винтовой или пайка (зависит от версии)
• Вес: ~100 г (примерно)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

1. Fuji Electric:
   • 7MBR50SA-120
   • 6MBR50SB-120
2. Infineon:
   • FF50R12RT4
3. Mitsubishi:
   • CM50DY-12H
4. SEMIKRON:
   • SKM50GB12T4
5. STMicroelectronics:
   • STGW50HF60S

Совместимые модели (схожие по параметрам):

• На 1200V / 50A:
  • IRG4PH50UD (International Rectifier)
  • IXGH50N120 (IXYS)

Примечание:

1. Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия.
2. Рекомендуется использовать оригинальные модули в критичных системах.

Если нужна более точная информация, укажите производителя или предоставьте даташит.