IGBT A50L-0001-0306

Описание IGBT A50L-0001-0306

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) A50L-0001-0306 – это мощный полупроводниковый ключ, предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и промышленных системах управления электроприводами.

Отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой температурной стабильностью. Подходит для применения в жестких условиях эксплуатации, включая высоковольтные и сильноточные цепи.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|-----------------------------| | Тип устройства | IGBT модуль (NPT/Trench) | | Макс. напряжение (V_CES) | 600 В (возможны варианты 1200 В) | | Макс. ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | ~30 А (зависит от охлаждения) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при номинальном токе) | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~200 Вт (с радиатором) | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тип корпуса | TO-247 (возможен другой вариант, уточняйте) | | Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) | | Скорость переключения | Высокая (десятки нс) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60 (Microsemi)
• IXGH50N60 (IXYS/Littelfuse)

Совместимые модели в схемах:

• Подходит для замены в инверторах, ЧПУ, сварочных аппаратах (например, Kempii, Fronius, ESAB).
• Встречается в блоках управления Omron, Yaskawa, Hitachi.

Примечание

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet конкретного производителя, так как параметры могут отличаться в зависимости от технологии (NPT, Trench, SiC-гибридные).

Если вам нужна спецификация для конкретного применения (например, инверторная сварка или частотный привод), укажите условия эксплуатации – помогу подобрать оптимальный вариант.