IGBT A50L-0001-0355

Описание и технические характеристики IGBT A50L-0001-0355

IGBT A50L-0001-0355 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, преобразователях частоты, инверторах, сварочном оборудовании и других системах управления мощностью.

Основные характеристики:

• Тип: N-канальный IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 50 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 100 А
• Мощность рассеивания (P_D): 300 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2,5 В (при 25 А)
• Время включения (t_on): 50 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Тепловое сопротивление (R_thJC): 0,5 °C/Вт
• Корпус: TO-247 (или аналогичный)
• Температурный диапазон: от -40°C до +150°C

Парт-номера и совместимые модели

IGBT A50L-0001-0355 может иметь аналоги и замены от разных производителей. Некоторые возможные парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N120B3D (Microsemi)
• IXGH50N120B3 (IXYS/Littelfuse)

Совместимые модели (похожие параметры):

• SKM50GB12T4 (SEMIKRON, модуль)
• CM50DY-24H (Mitsubishi, модуль)
• BSM50GP120 (Infineon, модуль)

Применение:

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Инверторы и UPS
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты и консультироваться с производителем.