IGBT APT80GA90LD40

Описание IGBT APT80GA90LD40

APT80GA90LD40 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) от компании Microchip Technology (ранее APT Advanced Power Technology). Этот модуль предназначен для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные приводы
• Сварочное оборудование
• Электромобили и зарядные станции

Модуль выполнен в TO-247 корпусе, что обеспечивает хороший теплоотвод и надежность в тяжелых условиях эксплуатации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | NPT IGBT с антипараллельным диодом |
| Коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 900 В |
| Ток коллектора (I_C при 25°C) | 80 А |
| Ток коллектора (I_C при 100°C) | 50 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 160 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) |
| Время включения (t_d(on)) | 50 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 350 нс |
| Тепловое сопротивление (R_θJC) | 0,42 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• APT80GA90LD40 (оригинал)
• APT80GA90LD40G (версия с улучшенными характеристиками)
• IXGH80N90 (от IXYS)
• IRG4PC50UD (от Infineon, менее мощный, но совместимый в некоторых схемах)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• FGA80N90 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW80H65DFB (STMicroelectronics)
• HGTG20N60A4D (Renesas)

Примечания

1. Замена на аналог требует проверки по параметрам V_CES, I_C и тепловым характеристикам.
2. Для ремонта инверторов часто используются модули APT80GA90LD40 и APT80GA90LD40G как взаимозаменяемые.
3. При пайке следует избегать перегрева, так как корпус TO-247 чувствителен к температурным нагрузкам.

Если нужна более точная информация по заменам или datasheet – уточните область применения!