IGBT DM2G75SH6A

Описание IGBT модуля DM2G75SH6A

DM2G75SH6A – это двухканальный IGBT-модуль (Dual IGBT) с защитными диодами, предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии, инверторов и импульсных схем. Модуль выполнен в корпусе, обеспечивающем хорошие тепловые и электрические характеристики, что делает его подходящим для промышленных и силовых приложений.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип модуля: Dual IGBT (2 в 1)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 75 А
• Ток коллектора (I_C при 100°C): 50 А
• Импульсный ток (I_CP): 150 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 300 Вт
• Падение напряжения (V_CE(sat)): 1.8 В (тип.)
• Время включения (t_on): 35 нс
• Время выключения (t_off): 120 нс
• Интегрированный обратный диод: Да (Fast Recovery Diode)
• Максимальная рабочая температура (T_j): 150°C

Термические параметры:

• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.45 °C/Вт
• Крепление: Винтовое (изолированный или неизолированный монтаж)

Совместимые модели и парт-номера

Аналоги и замены:

• Infineon: FF75R06KE3
• Fuji Electric: 2MBI75N-060
• Mitsubishi: CM75DY-12H
• SEMIKRON: SKM75GB063D
• IXYS: MIXA75PF0600HE

Парт-номера в других сериях:

• DM2G75SH6B (обновленная версия)
• DM2G100SH6A (аналог на 100 А)
• DM2G50SH6A (аналог на 50 А)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания
• Солнечные инверторы

Если требуется уточнение по конкретному аналогу или datasheet, укажите производителя для более точного подбора.