IGBT FF300R12KE3_B2

Описание IGBT модуля FF300R12KE3_B2

FF300R12KE3_B2 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Модуль выполнен в корпусе EconoDUAL 3 и содержит два IGBT с антипараллельными диодами (в конфигурации Half-Bridge).

Основные сферы применения:

• Промышленные приводы
• Возобновляемая энергетика (инверторы для солнечных и ветровых установок)
• Электроподвижной состав
• Сварочное оборудование
• Импульсные источники питания

Технические характеристики FF300R12KE3_B2

| Параметр | Значение |
|---------------------------|-------------|
| Конфигурация | Half-Bridge (2x IGBT + 2x диод) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C @ 25°C) | 300 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 600 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,85 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 130 нс |
| Время выключения (t_off) | 410 нс |
| Диод: прямое напряжение (V_F) | 1,55 В (тип.) |
| Корпус | EconoDUAL 3 |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 К/Вт |
| Макс. температура перехода (T_j) | 150°C |
| Вес | ~300 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• FF300R12KT3 (более старая версия)
• FF300R12KE3 (базовая модель без суффикса _B2)
• FF300R12KE3G (версия с улучшенными характеристиками)

Аналоги от других производителей:

• Mitsubishi: CM300DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI300U2A-120
• Semikron: SKM300GB12T4

Примечания:

• Модуль FF300R12KE3_B2 относится к серии TRENCHSTOP™ IGBT4, что обеспечивает низкие потери и высокую эффективность.
• Подходит для замены устаревших модулей с аналогичными параметрами (например, FF300R12KE3).
• Для корректной работы требуется система охлаждения с эффективным отводом тепла.

Если вам нужна дополнительная информация по драйверам или схемам подключения, сообщите!