IGBT FP50R06W2E3

Описание IGBT FP50R06W2E3

FP50R06W2E3 – это IGBT-модуль с кремниевой технологией, разработанный для мощных преобразовательных и инверторных применений. Модуль объединяет в одном корпусе IGBT-транзисторы с антипараллельными диодами, обеспечивая высокую эффективность и надежность в силовых электронных системах.

Этот модуль подходит для:

• Промышленных приводов
• Сварочных инверторов
• Источников бесперебойного питания (ИБП)
• Электромобилей и зарядных станций
• Солнечных инверторов

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (полумост 2 в 1) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 100°C) |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 240 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,7 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 30 нс |
| Время выключения (t_off) | 130 нс |
| Диод обратного восстановления (t_rr) | 70 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 °C/Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | E3 (TO-247) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены)

• Infineon: FP50R06W2E3 (оригинал)
• Infineon: FP50R06KE3 (альтернатива с похожими параметрами)
• IR (International Rectifier): IRG4PC50UD (аналог в другом корпусе)
• STMicroelectronics: STGW50HF60WD (аналог с близкими характеристиками)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы)

• Infineon: FP40R12KT3 (менее мощный, 40A/1200V)
• Mitsubishi: CM50DY-12H (50A/600V, другой форм-фактор)
• Fuji Electric: 2MBI50U-060 (50A/600V, модуль в другом корпусе)

Примечание по замене

При выборе аналога важно учитывать:

• Напряжение и ток
• Корпус и расположение выводов
• Тепловые характеристики
• Внутреннюю структуру (полумост, одиночный IGBT и т. д.)

Если требуется точная замена, рекомендуется использовать оригинальный FP50R06W2E3 или проверенные аналоги от Infineon.