IGBT GD50HCU120C8S

Описание IGBT модуля GD50HCU120C8S

GD50HCU120C8S – это IGBT-модуль, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как инверторы, преобразователи частоты, сварочное оборудование и промышленные системы управления. Модуль объединяет IGBT-транзисторы с диодами обратного восстановления (FRD) в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Тип модуля | IGBT с FRD | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | 25 А (при 100°C) | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 250 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт | | Корпус | Стандартный 2-выводной (Half-Bridge) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативные модели от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4
• Mitsubishi: CM50DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI50U-120
• SEMIKRON: SKM50GB12T4

Другие варианты в линейке GDxxHCU120C8S

• GD25HCU120C8S (25A, 1200V)
• GD75HCU120C8S (75A, 1200V)

Применение

• Частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Тяговые приводы

Модуль GD50HCU120C8S подходит для замены устаревших IGBT-модулей с аналогичными характеристиками, но перед заменой рекомендуется проверять распиновку и параметры управления затвором.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!