IGBT Irgps40b120upbf

Описание IGBT IRGPS40B120UPBF

IRGPS40B120UPBF – это изолированный модуль IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных силовых приложений. Модуль включает в себя IGBT-транзисторы с антипараллельными диодами, собранные в корпусе, обеспечивающем изоляцию и эффективное охлаждение.

Основные характеристики

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 40 А
• Ток коллектора (I_C при 100°C): 25 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 80 А
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~2,1 В (при 25°C)
• Мощность рассеяния (P_tot): 200 Вт
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_thJC): 0,45 °C/Вт
• Встроенный свободный диод (FRD): Да
• Корпус: TO-247 (изолированный)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные приводы
• Электромобили и зарядные станции

Совместимые модели и парт-номера

Аналоги от Infineon:

• IRG4PC40UD (TO-247, 600 В, 40 А)
• IRG4PC50U (TO-247, 600 В, 50 А)
• IRG4PH40U (TO-247, 1200 В, 40 А)
• IRG4PH50U (TO-247, 1200 В, 50 А)

Аналоги от других производителей:

• STGW40H120DF2 (STMicroelectronics, 1200 В, 40 А)
• FGA40N120ANTD (Fairchild/ON Semi, 1200 В, 40 А)
• IXGH40N120B3 (IXYS/Littelfuse, 1200 В, 40 А)

Парт-номера в других корпусах:

• IRGPS40B120U (аналогичный модуль в другом исполнении)
• IRGPS40B120KD (с улучшенными характеристиками)

Заключение

IRGPS40B120UPBF подходит для мощных преобразовательных устройств с рабочим напряжением до 1200 В. Его можно заменять аналогичными модулями с близкими параметрами, но важно учитывать различия в тепловых характеристиках и токовых нагрузках.

Если вам нужна более точная замена, лучше сверить даташиты или обратиться к производителю.