IGBT IXGR120N60B

IGBT IXGR120N60B – Описание и технические характеристики

Описание

IGBT IXGR120N60B – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный компанией IXYS (ныне Littelfuse). Он предназначен для высоковольтных и высокотоковых приложений, таких как:

• Промышленные инверторы
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Системы возобновляемой энергии

Ключевые особенности:

• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Высокая стойкость к перегрузкам
• Быстрое переключение
• Высокий КПД
• Изолированный корпус TO-264 (Isolated Package)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C @ 25°C) | 120 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 240 А |
| Мощность рассеяния (P_tot @ 25°C) | 500 Вт |
| Падение напряжения V_CE(sat) (при I_C = 120 А, V_GE = 15 В) | 2,2 В |
| Время включения (t_d(on)) | 36 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 190 нс |
| Затвор-эмиттерное напряжение (V_GE) | ±20 В |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-264 (аналог TO-3P) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и совместимые IGBT (с похожими параметрами)

• IXGR120N60B3 (модернизированная версия)
• IXGR80N60B (80 А, 600 В)
• IXGR40N60B (40 А, 600 В)
• FGA60N65SMD (Fairchild, 60 А, 650 В)
• IRGP4063DPBF (Infineon, 75 А, 600 В)
• HGTG20N60B3D (STMicroelectronics, 40 А, 600 В)

Кросс-производители (альтернативы от других брендов)

• Infineon: IKW75N60T, IKW40N60T
• STMicroelectronics: STGW60H65DFB
• ON Semiconductor: NGTB40N60FL2WG

Примечания

1. IXGR120N60B требует правильного теплоотвода из-за высокой рассеиваемой мощности.
2. Рекомендуется использовать драйверы затвора с достаточным током управления (например, IXDD414).
3. При замене на аналог следует учитывать различия в динамических характеристиках.

Если нужны дополнительные аналоги или схемы подключения – уточните!