IGBT IXXK200N60B3

Описание IGBT-модуля IXXK200N60B3

Производитель: IXYS (Littelfuse)
Тип: IGBT-модуль (NPT-технология)
Назначение: Мощные импульсные преобразователи, инверторы, сварочное оборудование, промышленные приводы.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (600 В).
• Низкие динамические потери.
• Встроенный антипараллельный диод.
• Высокая перегрузочная способность.
• Корпус с изолированным основанием для простого монтажа на радиатор.

Технические характеристики:

Основные параметры IGBT:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C при 25°C): 200 А
• Ток коллектора (I_C при 100°C): 120 А
• Импульсный ток (I_CM): 400 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 625 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.1 В (при 200 А)
• Время включения (t_on): 70 нс
• Время выключения (t_off): 220 нс

Встроенный диод:

• Прямое напряжение (V_F): 1.8 В (при 200 А)
• Время восстановления (t_rr): 120 нс

Термические параметры:

• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.08 °C/Вт
• Диапазон рабочих температур (T_j): от -40°C до +150°C

Корпус:

• Тип: модуль (изолированный)
• Монтаж: винтовой

Парт-номера и совместимые аналоги:

Прямые аналоги (по характеристикам):

• IXYS: IXXK200N60B3D1 (модификация с улучшенными параметрами)
• Infineon: FF200R06KE3
• SEMIKRON: SKM200GB066D
• Fuji Electric: 2MBI200N-060

Аналоги с близкими параметрами (возможна замена):

• IR (Infineon): IRG4PH50UD (1200V, 55A, требует проверки по току)
• Mitsubishi: CM200DY-24NF (600V, 200A)
• STMicroelectronics: STGW200N60S (600V, 200A)

Примечания:

1. Замена аналогами: При выборе аналога учитывайте:
   • Напряжение (600 В), ток (200 А), наличие встроенного диода.
   • Размещение выводов и тепловые характеристики.
2. Охлаждение: Обязательно использовать радиатор с теплопроводящей пастой.
3. Драйверы: Рекомендуется использовать драйверы с током управления не менее 2 А (например, IXDP630 или аналоги).

Если требуется уточнение по конкретному применению, укажите условия работы (частота, температура, нагрузка).