IGBT J2-Q02A-C

Описание IGBT модуля J2-Q02A-C

J2-Q02A-C – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для управления высокими напряжениями и токами в силовой электронике. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах электропривода и других промышленных приложениях.

Модуль выполнен в стандартном корпусе с изолированным основанием, обеспечивающим эффективное охлаждение. Имеет встроенный диод для защиты от обратных токов.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | IGBT + диод (NPT) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В / 1200 В (уточнить по спецификации) | | Номинальный ток (I_C) | 20–50 А (зависит от модификации) | | Импульсный ток (I_CM) | до 100 А (кратковременно) | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~100–200 Вт (с радиатором) | | Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В (стандартно ±15 В для управления) | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | ~0.1–0.3 Ом (зависит от тока) | | Температурный диапазон | -40°C до +150°C (корпус) | | Корпус | Изолированный (TO-247, TO-3P или аналогичный) |

Точные параметры могут отличаться в зависимости от производителя и модификации.

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW20N60T, IKW40N60T, IKW50N60T
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA20N60, FGA25N120
• STMicroelectronics: STGW20NC60V, STGW30NC60V
• Mitsubishi: CM50DY-12H, CM75DY-12H
• Toshiba: MG50Q2YS40, MG75Q2YS40

Совместимые модели в других сериях:

• J2-Q01A-C (меньший ток)
• J2-Q03A-C (больший ток)
• J2-Q02B-C (модификация с другим корпусом)

Применение

• Преобразователи частоты (ЧП)
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужны точные данные для конкретной модели, уточните производителя (например, Fuji Electric, IXYS, Infineon).