IGBT PM50CSD120

Описание IGBT модуля PM50CSD120

PM50CSD120 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства Mitsubishi Electric, предназначенный для применения в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.

Модуль выполнен в компактном корпусе с изолированным основанием, что обеспечивает хороший теплоотвод и удобство монтажа. Встроенный диод обратного хода (FRD) позволяет использовать модуль в схемах с высокими коммутационными нагрузками.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод | | Конфигурация | Одиночный (Single) | | Макс. напряжение VCES | 1200 В | | Ном. ток коллектора IC | 50 А (при 25°C) | | Пиковый ток IC (peak) | 100 А | | Напряжение насыщения VCE(sat) | 2.1 В (тип.) при IC = 50 А | | Время включения (ton) | 80 нс (тип.) | | Время выключения (toff) | 400 нс (тип.) | | Макс. температура перехода | 150°C | | Термосопротивление (Rth(j-c)) | 0.35 °C/Вт | | Корпус | 2 в 1 (изолированный) | | Вес | ~60 г |

Аналоги и совместимые модели

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги)

• Mitsubishi Electric:
  • CM50DY-12H (устаревший аналог)
  • PM50CSD120 (полное совпадение)
• Infineon:
  • FF50R12RT4 (аналог по параметрам)
• Fuji Electric:
  • 2MBI50S-120 (аналог)
• SEMIKRON:
  • SKM50GB12T4 (аналог)

Совместимые модели в схемах замены

• IRG4PH50UD (International Rectifier) – с проверкой параметров
• HGTG50N120BND (ON Semiconductor) – для некоторых применений

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электродвигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты

Если требуется точная замена, рекомендуется сверить электрические характеристики и механические габариты.

Нужна дополнительная информация? 😊