IGBT ps11032-y1

Описание IGBT модуля PS11032-Y1

PS11032-Y1 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным диодом, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и систем управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и хорошей термостабильностью, что делает его пригодным для промышленного применения, включая сварочное оборудование, частотные преобразователи и источники бесперебойного питания.

Технические характеристики PS11032-Y1

Основные параметры:

• Тип полупроводника: IGBT с обратным диодом (NPT-технология)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): до 110 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): до 55 А (при 100°C)
• Импульсный ток (I_CM): до 220 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): до 350 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2,0 В (при номинальном токе)
• Время включения (t_on): ~60 нс
• Время выключения (t_off): ~200 нс

Параметры встроенного диода:

• Максимальный прямой ток (I_F): 110 А
• Прямое падение напряжения (V_F): ~1,8 В

Тепловые характеристики:

• Температурный диапазон: от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0,25 °C/Вт

Механические характеристики:

• Корпус: модульный, изолированный (с керамической подложкой)
• Монтаж: винтовой (для радиатора)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF110R12KT4, FF100R12KT3
• Mitsubishi: CM1100DY-24NF
• Fuji Electric: 2MBI100U2B-120
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам):

• PS11033-Y1 (аналог с чуть большим током)
• PS11030-Y1 (аналог с меньшим током)
• IXYS: IXGH110N20B3

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Тяговые системы электропривода
• Индукционные нагреватели

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик или спецификации от производителя), уточните модель или производителя.