IGBT SKM150GB125D

Описание IGBT модуля SKM150GB125D

SKM150GB125D – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с напряжением 1200 В и током 150 А, предназначенный для высокочастотных и мощных преобразовательных систем. Модуль содержит два IGBT транзистора с антипараллельными диодами, собранные в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Основные применения:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные сварочные аппараты
• Солнечные и ветряные энергосистемы

Технические характеристики

Основные параметры:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 150 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 300 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,0 В (при 150 А) |
| Падение напряжения на диоде (V_F) | 1,7 В |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 400 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт |
| Рабочая температура (T_j) | -40°C до +150°C |

Механические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Корпус | SEMiX 4 |
| Монтаж | Винтовой |
| Вес | ~180 г |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• SKM150GB12T4 (новый вариант с улучшенными характеристиками)
• SKM150GB125DN2 (модификация с низкими потерями)
• CM150DY-24S (Mitsubishi, аналогичный по характеристикам)
• FF150R12RT4 (Infineon, 1200V/150A, Half-Bridge)

Совместимые модули в других корпусах:

• SKM200GB125D (200A, 1200V, Half-Bridge)
• SKM100GB125D (100A, 1200V, Half-Bridge)
• SKM75GB125D (75A, 1200V, Half-Bridge)

Заключение

Модуль SKM150GB125D подходит для мощных преобразователей и инверторов, где требуется высокая надежность и эффективность. Основные конкуренты – модули от Infineon и Mitsubishi. При выборе аналога важно учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики.

Если нужны более современные аналоги, можно рассмотреть SKM150GB12T4 или FF150R12RT4 от Infineon.