IGBT TM200DZ-H

Описание IGBT TM200DZ-H

IGBT TM200DZ-H – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах, системах управления электродвигателями и промышленном оборудовании. Модуль характеризуется высокой эффективностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также надежной изолированной конструкцией.

Технические характеристики:

• Тип устройства: IGBT-модуль (NPT / Trench technology)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 200 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C) при 80°C: ~150 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 400 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 600 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.5 В (типовое при I_C = 200 А)
• Время включения (t_on): 80 нс
• Время выключения (t_off): 350 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0.12 °C/Вт
• Корпус: модульный, изолированный (например, 62mm или аналогичный)
• Встроенный диод: Есть (FWD, антипараллельный)

Совместимые модели и парт-номера:

Аналоги и замены могут отличаться по корпусу и характеристикам, но функционально близки:

Прямые аналоги от других производителей:

• Infineon: FZ200R12KE3
• Mitsubishi Electric: CM200DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Похожие модели в линейке TM/CM серий:

• TM200DZ-H (оригинал)
• TM200DZ-K (возможна другая версия корпуса)
• CM200DY-12NF (Mitsubishi)
• CM200DU-12NF (с другим тепловым сопротивлением)

Варианты замены (проверять распиновку!):

• IXYS: IXGH200N120B3
• STMicroelectronics: STGW200NC120HD

Примечания:

• Перед заменой проверяйте распиновку, напряжение и токи.
• Уточняйте наличие встроенного диода и тепловые параметры.
• Рекомендуется использовать оригинальные или сертифицированные аналоги во избежание перегрева.

Если нужны точные данные для конкретного применения, уточните параметры системы (напряжение, частоту переключений, охлаждение).